US, New Jersey – Les substrats en carbure de silicium (SiC), d’un diamètre de 6 pouces, sont des composants essentiels dans l’industrie des semi-conducteurs, facilitant la production de dispositifs électroniques de haute puissance. Ces substrats se caractérisent par leurs propriétés matérielles supérieures, notamment une conductivité thermique élevée, une large bande interdite et une excellente résistance…